рефераты рефераты
 

Главная

Разделы

Новости

О сайте

Контакты

 
рефераты

Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Бизнес-план
Биология
Бухучет управленчучет
Водоснабжение водоотведение
Военная кафедра
География и геология
Геодезия
Государственное регулирование и налогообложение
Гражданское право
Гражданское процессуальное право
Животные
Жилищное право
Иностранные языки и языкознание
История и исторические личности
Коммуникации связь цифровые приборы и радиоэлектроника
Краеведение и этнография
Кулинария и продукты питания
Культура и искусство
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Масс-медиа и реклама
Математика
Медицина
Международное и Римское право
Уголовное право уголовный процесс
Трудовое право
Журналистика
Химия
География
Иностранные языки
Без категории
Физкультура и спорт
Философия
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Радиоэлектроника
Религия и мифология
Риторика
Социология
Статистика
Страхование
Строительство
Схемотехника
История
Компьютеры ЭВМ
Культурология
Сельское лесное хозяйство и землепользование
Социальная работа
Социология и обществознание

рефераты
рефераты

НАУЧНАЯ БИБЛИОТЕКА - РЕФЕРАТЫ - Усилительные каскады в области высоких частот

Усилительные каскады в области высоких частот

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

(технический университет)

Кафедра Электроники и электротехники

Доклад

Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”

Студент:

Андриатис Ю.А.

группа АП-52

Преподаватель:

Ушаков В.Н.

МОСКВА 1999

Усилительный каскад на биполярном транзисторе.

EK

R1 RK

РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА

УСИЛИТЕЛЬНОГО RC -

КАСКАДА

Cк НА БИПОЛЯРНОМ

ТРАНЗИСТОРЕ

ВЫХОД

IBX

C

RH Uвых

ВХОД CЭ

R2 RЭ

IBЫX

Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь

влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала

сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн.

Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области

высоких частот нельзя.

РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА

УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА

НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ

IBЫX

rвх R k C

RH Uвых

h21эIб

Из схемы находим:

Zk = (Rk || Rн)|| 1 = (Rk || Rн) * (1 / j(вС) =

(j(вС) (Rk || Rн) + (1 / j(вС)

= (Rk || Rн) = (Rk || Rн)

1 + j(вС(Rk || Rн) 1 + j(в(в

где (в = С(Rk || Rн) - постоянная времени нагрузочной цепи

(Rk || Rн)

U2 = h21эIб Zk = h21эIб 1 + j(в(в U1 = Iб rвх

U2 (Ku)0

(Ku)в = =

U1 1 + j(в(в

На высших частотах происходит не только усиление сигнала но и

появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно

входного поэтому это выражение разбивается на два:

1

(Ku)в =

? 1 + ((в(в)2

tg ?в = – (в(в

В области высших частот характеристика будет иметь завал:

Kв ?в

K0 (1 (2

f(()

f(()

(2 > (1

Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем

характеристика лучше (более равномерна).

Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только

уменьшить за счет рационального конструирования.

Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего

каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные

устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повторитель.

рефераты
© РЕФЕРАТЫ, 2012

рефераты