рефераты рефераты
 

Главная

Разделы

Новости

О сайте

Контакты

 
рефераты

Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Бизнес-план
Биология
Бухучет управленчучет
Водоснабжение водоотведение
Военная кафедра
География и геология
Геодезия
Государственное регулирование и налогообложение
Гражданское право
Гражданское процессуальное право
Животные
Жилищное право
Иностранные языки и языкознание
История и исторические личности
Коммуникации связь цифровые приборы и радиоэлектроника
Краеведение и этнография
Кулинария и продукты питания
Культура и искусство
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Масс-медиа и реклама
Математика
Медицина
Международное и Римское право
Уголовное право уголовный процесс
Трудовое право
Журналистика
Химия
География
Иностранные языки
Без категории
Физкультура и спорт
Философия
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Радиоэлектроника
Религия и мифология
Риторика
Социология
Статистика
Страхование
Строительство
Схемотехника
История
Компьютеры ЭВМ
Культурология
Сельское лесное хозяйство и землепользование
Социальная работа
Социология и обществознание

рефераты
рефераты

НАУЧНАЯ БИБЛИОТЕКА - РЕФЕРАТЫ - Лабораторные по проектированию РЭС

Лабораторные по проектированию РЭС

Исходные данные к циклу лабораторных работ

Назначение МЭА: контрольно-измерительная.

Условие эксплуатации: бортовые, самолетные.

Максимальная температура окружающей Среды: 400 С.

Сложность электрической схемы в эквивалентных усилителях и/или вентилях:

5000

Тип схемы аналогово-цифровая. Средний коэффициент объединения по входу

одного вентиля к1=2.

Уровень интеграции микросхем, Jc=75.

Элементная база МЭУ: бескорпусные полупроводниковые микросхемы с размерами

кристаллов Iкр х Вкр=2х2 мм; уровень интеграции кристалла Jк=5; выводы

кристаллов – гибкие.

Типы корпусов МЭУ: согласно ГОСТ 17467-79.

Способы установки МЭУ на платах: Двухсторонний.

Базовая технология изготовления МЭУ: Толстопленочная.

Вариант конструкции блока МЭА: Книжная.

Техническая долговечность: 5 лет.

Вероятность безотказной работы МЭА в конце срока эксплуатации: 0,90.

Коэффициент эксплуатации МЭА, (:0,3.

Серийность производства МЭА: 100.

Постановка задачи разработки конструкции МЭУ

Необходимо разработать принципиальный вариант конструкции МЭУ, исходя из

определенных условий. В качестве исходных, используются следующие данные:

В качестве исходных используются следующие данные:

длина кристалла: lк=2 мм;

ширина кристалла: Bк=2 мм;

уровень интеграции кристалла: Jк=5;

уровень интеграции МЭУ: Jc=75;

минимальное допустимое расстояние от края кристалла до контактной площадки:

с=0,4мм;

сторона квадрата контактной площадки: а=0,25 мм;

минимальное допустимое расстояние между пленочными элементами: d1=0,1 мм;

минимальная ширина пленочного соединительного провода: а1=0,1 мм.

Алгоритм проектирование МЭУ

Этапы разработки

| | |

|Проектирование посадочного места навесного элемента |Синтез |

| | |

|Определение числа рядов и столбцов посадочных мест |Анализ |

| | |

|Определение минимальных шагов установки навесных |Принятие решения |

|элементов | |

| | |

|Выбор размеров подложки и типов корпусов |Принятие решения |

| | |

|Уточнение размеров подложки и типа корпуса |Анализ |

Проектирование посадочного места навесного элемента (НЭ)

Исходные данные:

l=2 мм, длина навесного элемента;

c=0,4 мм, расстояние между НЭ и выводами;

а=0,25 мм, длина контактной площадки под выводы;

b=2 мм, ширина НЭ;

a1=0.1 мм, расстояние между выводами;

u=0,25 мм, ширина контактной площадки под выводы;

Мк=5, количество задействованных выводов НЭ.

Результаты:

Мкв=32, максимальное количество контактных площадок под выводы вокруг

кристалла;

Lов =3,3 мм, длина посадочного места кристалла;

Bов=3,3 мм, ширина посадочного места кристалла.

В приложении 1 приведен эскиз посадочного места кристалла с гибкими

выводами

Определение числа рядов и столбцов посадочных мест

Исходные данные:

Nк =15, число НЭ на подложке.

Результаты:

Mx=3, количество горизонтальных рядов кристаллов на плате;

My=5, количество вертикальных столбцов.

Определение минимальных шагов установки навесных элементов

Исходные данные:

d1=0,1 мм, минимальная ширина пленочного соединительного провода.

Результаты:

hxmin=3,6, минимальный шаг установки по горизонтали кристаллов;

hymin=3,6, минимальный шаг установки по вертикали;

M1=67, число проводников в первом слое;

M2=13, число проводников во втором слое;

M1L=34, число вертикальных линий, на которых группируются проводники

первого слоя;

M2L = 17, число горизонтальных линий, на которых группируются проводники

второго слоя.

Выбор размеров подложки и типов корпусов МкСБ.

Принятие решения: выводы микросборки располагаются вдоль больших сторон

МкСБ.

Исходные данные:

d1 = 1мм. , размер технологической зоны.

Mмс = [pic], кол-во задействованных выводов МЭУ.

Результаты:

Lmin = 18,3 мм. , длина подложки;

Bmin = 15,83 мм. , ширина подложки.

По критериям Lmin( L и Bmin( B выбираем корпус МЭУ:

| | | | |Максим. |Разм.полезно|Масса|

|Наимено-|Тип|Выводы |Габаритн. |шаг |й |, |

| | | |разм., |уста-новки|внутр.полост|г |

|вание |кор| |мм |, мм |и, | |

| |- | | | |мм | |

корпуса |пуса |тип |кол. |lx |ly |lz |lx1 |ly1 |l |в |z |G | |155.15-1 |МС

|ШТ |14 |29,5 |19,5 |5,0 |40,0 |25,0 |25,0 |15,0 |2,0 |5,0 | |МС —

металлостеклянный;

ШТ — штыревые;

2. Уточнение размеров подложки и типа корпуса.

Исходные данные:

h = 0,1мм. , шаг координатной сетки топологии коммутационной пленочной

платы.

Результаты:

Lmin=14,7мм. , длина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;

Bmin= 6,8мм. , ширина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;

Мкс=13, кол- во задействованных выводов МЭУ.

Корпус: 155.15-1 , выбранный корпус.

4. Выводы по работе:

В данной работе было спроектировано посадочное место навесного элемента,

определено число рядов и столбцов посадочных мест, минимальных шагов

установки кристаллов. Также был выбран вид расположения выводов микросборки

и тип корпуса МЭУ.

-----------------------

МГАПИ

Лабораторная работа

Группа ПР-7

Специальность 2008

Студент

.

рефераты
© РЕФЕРАТЫ, 2012

рефераты