рефераты рефераты
 

Главная

Разделы

Новости

О сайте

Контакты

 
рефераты

Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Бизнес-план
Биология
Бухучет управленчучет
Водоснабжение водоотведение
Военная кафедра
География и геология
Геодезия
Государственное регулирование и налогообложение
Гражданское право
Гражданское процессуальное право
Животные
Жилищное право
Иностранные языки и языкознание
История и исторические личности
Коммуникации связь цифровые приборы и радиоэлектроника
Краеведение и этнография
Кулинария и продукты питания
Культура и искусство
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Масс-медиа и реклама
Математика
Медицина
Международное и Римское право
Уголовное право уголовный процесс
Трудовое право
Журналистика
Химия
География
Иностранные языки
Без категории
Физкультура и спорт
Философия
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Радиоэлектроника
Религия и мифология
Риторика
Социология
Статистика
Страхование
Строительство
Схемотехника
История
Компьютеры ЭВМ
Культурология
Сельское лесное хозяйство и землепользование
Социальная работа
Социология и обществознание

рефераты
рефераты

НАУЧНАЯ БИБЛИОТЕКА - РЕФЕРАТЫ - Фоторезисторы

Фоторезисторы


ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой
непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого
определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов
лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение
электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина
фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне
проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового
материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами.
Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в
несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три
порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала
фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые,
сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления
обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации.
В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
Основные характеристики фотосопротивлений.
1. Рабочая
площадь.
2. Темновое
сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных
приборах  от 1000 до 100000000 ом.
3. Удельная
чувствительность
         где:                                                                                                             
  
-фототок,
равный разности токов в темноте и на свету;
             Ф -
световой поток;
        U - приложенное
напряжение.
4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1  до 1000 в ).
5. Среднее относительное изменение сопротивления, % -
     обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,
   
, где :
-сопротивление
в темноте;
    -сопротивление
в освещенном состоянии.
6. Средняя кратность
изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением
:
 
 
Применение:
устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства
автоматики.
Схема включения
фоторезисторов: Сопротивление нагрузки Источник питания
 
При определенном
освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в
цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо
устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).
С П И С О К   Л И Т
Е Р А Т У Р Ы
1. Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., «
Советское радио», 1973.
2. Шифман Д. Х.
Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965.  
рефераты
© РЕФЕРАТЫ, 2012

рефераты